SiCウェーハ向け事例
■<SiCウェーハ洗浄の基本手法>
SiCウェーハは化学的に安定した基板で、Siウェーハと同じ手法ではその洗浄効果をあげることは困難です。しかし、Si面に酸化膜を形成することにより、化学的洗浄が可能となり、洗浄効果をあげる事ができると考えられます。Si面にO₃水を用いて強制的にSiO₂膜を形成し、HFにてSiO2膜を除去する手法になります。 装置仕様 SiCウェーハ向け事例
■LD/ULD
・水中LD/空中ULD ・水中保管LDによるパーティクル飛散防止
■ブラシ洗浄
・両面ブラシスクラブ洗浄 ・ロール軸内側から噴水してブラシ外部へゴミを排除する構造
■オゾン洗浄部
・Max 5L/min ・オゾン濃度30 ppm以上の強酸化性
■物理洗浄
・周波数430kHz ・低ダメージ、高クリーン度で安定性高い洗浄
■スピン乾燥
・Max 4000rpm ・高速乾燥による効率向上
■チャンバ数
・4 or 5 (カスタム可) ・プロセスごとの専用となり、薬液混入防止
■ロボット
・2台 ・搬送用ロボットを洗浄前と洗浄後で使い分け
■<洗浄プロセスと装置構成>
LD (水中) →両面ブラシスクラブ→オゾン水→HF洗浄→超音波シャワー洗浄→スピン乾燥→ULD (空中)
■<スループット>
・タクトタイム︓45秒/枚Ø150mm (6") ・タクトタイム︓60秒/枚Ø200mm (6") ※ タクトタイムは、あくまで目安です。洗浄レシピにより変化します。